Cu2ZnSnS4相关论文
利用吸收、光电流和光致发光等光谱表征并结合理论报道，分析了缺陷态丰富的铜锌锡硫半导体材料的光学带隙、带尾态和深浅杂质能级，揭......
In this work,a Cu2ZnSnS4(CZTS)ingot is grown via a melting method,then cooled;the resulting molten stoichiomet-ric mixtu......
铜锌锡硫系太阳能薄膜电池是基于Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池而衍生出的一类新的半导体光伏器件。目前多数的研究都借助于真空......
Cu_2Zn Sn S_4(CZTS)和Cu_3Sn S_4(CTS)作为P型直接带隙的多元硫化物半导体,它们具有理想的光学带隙宽度(1.0～1.8 e V),高的光吸收......
随着全球经济的快速发展,能源供应紧缺逐渐成为当代人类社会发展所要面临的最为紧迫的问题之一。其中,可再生能源中的太阳能是解决......
太阳能光电转换利用是解决能源危机和环境污染问题的有效途径。在各种光电转换材料中,多元金属硫化物薄膜以其转换效率高、稳定性......
采用金属预制膜硫化法制备铜锌锡硫薄膜,分别制备不同成分的预制膜,考察预制膜成分对Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜特性的影响。研究得出:4......
采用溶剂热法,以CuCl2·2H2O、Zn(Ac)2·2H2O及SnCl4·5H2O作金属源,硫脲(TA)作硫源,PVP作表面活性剂,乙二醇作溶剂,在不同pH值条......
利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,薄膜在室温下生长,再在Ar气氛中快速退火。通过X射线衍射、X射线电子......
铜锌锡硫Cu2ZnSnS4(CZTS)在光解水制氢气、薄膜太阳能电池吸收层领域都有广泛的应用前景,目前该类金属硫化物的合成方法仍然存在着......
Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin films were successfully prepared by sulfurization of ion bean sputtered precursors on soda-lime gl......
高级氧化工艺(AOPs)是一种处理有机污染物的极具吸引力的技术.大量的前期研究工作集中在通过芬顿反应(Fenton)降解有机污染物.然而......
铜锌锡硫（CZTS）具有资源丰富、环境友好、理论光电转换效率高等优点,是理想的薄膜太阳能电池光吸收材料。介绍了CZTS晶体结构和光电......
以金属氯化物作为金属源，硫脲为硫源，乙二醇为溶剂，聚乙烯吡咯烷酮（PVP）为表面活性剂，采用溶剂热法在较低反应温度下合成了Cu2ZnSnS4（CZTS......
采用磁控溅射法制备不同ZnS溅射时间的Cu/Sn/ZnS前驱体薄膜,并利用双温区高温管式炉对薄膜进行硫化处理制备Cu2ZnSnS4薄膜。利用X......
以金属氯化物为金属源，硫脲为硫源，聚乙二醇和乙二醇为混合溶剂，采用溶剂热法一步合成了花状的铜锌锡硫纳米颗粒．利用X射线衍射仪，扫描......
Cu2ZnSnS4（CZTS）是一种环境友好的新型半导体材料，它的禁带宽度（约1．5eV）与太阳光谱的响应很好，同时这种材料具有很大的光吸收系数以及它......
【目的】为了增加Cu2 ZnSnS4价带顶和导带底与水的氧化还原势之间的能量差，使催化反应具有更多的驱动力。【方法】利用第一性原理计......
采用磁控溅射方法制备铜溅射时间分别为1.5 h和2 h的Cu/Sn/ZnS前驱体薄膜,然后利用双温区高温管式炉对两种薄膜进行硫化处理制备Cu......
利用真空蒸镀法在钠钙玻璃上连续蒸镀Cu／Zn／Sn金属前驱体．在氮气保护下，在550℃对前驱体进行硫化．制备出具有类黝锡矿结构的多晶CZTS薄......
采用溶剂热法合成了分层结构的铜锌锡硫（CZTS）纳米结构,用X射线粉末衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外可见分光光度计（UV-Vis）、拉曼光......
Cu2ZnSnS4(CZTS)具有高达104 cm-1的吸收系数,其约1.45eV的禁带宽度与太阳光谱非常匹配,且CZTS所含元素无毒、在地球上含量丰富、......
采用真空蒸镀技术在钠钙玻璃衬底上蒸镀Cu/Sn/ZnS前驱体,在氮气保护下,硫化制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜.运用X射线衍射仪(XRD)、Hal......
为研究PVP含量对CZTS颗粒形貌以及分散性的影响，本文采用溶剂热法，以CuCl2·2H2O、Zn（Ac）2·2H2O、SnCl4·5H2O作金属源．硫......
采用乙二醇作为溶剂,硫代乙酰胺作为硫源,通过微波液相合成法制备出颗粒大小均一的Cu2ZnSnS4（CZTS）纳米颗粒.采用XRD、Raman、EDS、T......
P型半导体Cu_2ZnSnS_4（CZTS）由于具有最佳的直接带隙（1.0~1.5eV）、高的光吸收系数（超过104 cm~（-1））以及丰富、无毒的元素组成,使其成为商......
太阳能作为一种取之不尽、用之不竭的清洁能源,将成为未来新能源的重要组成部分.目前人们除了利用太阳能光伏发电以外,还有利用仿......
采用微波法,一步反应合成纤维锌矿结构的Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米晶,探讨不同锡前驱体及反应条件对纤维锌矿CZTS纳米晶性能的影响。通......
多元铜基硫化物半导体纳米材料具有宽带隙、高吸光系数等优点[1],成为新型太阳能电池电极材料研究的的重点。其中,Cu2ZnSnS4（CZTS）纳......
综述了CZTS（Cu2ZnSnS4）材料的研究现状，介绍了CZTS材料的结构性质、光学性质、电学性质、薄膜的制备方法以及Na扩散对其性能的影响，最......
为了让材料科学与工程类本科生了解和掌握光伏转换原理和光伏器件的制备,将Cu2ZnSnS4纳米材料的合成及其光伏应用研究引入到实验教......
Cu2ZnSnS4薄膜具有组成元素来源丰富、吸收系数高等优点,是理想的薄膜太阳能电池吸收层材料。采用磁控溅射法沉积周期性金属叠层前......
随着人们对能源和环境问题的日益关注,太阳能-化学能转化方面的研究越来越受到重视。Cu(InGa)Se2(CIGS)作为一种代表性的可持续且......
利用溶剂热制备了Cu2ZnSnS4（CZTS）球形纳米晶。采用x射线衍射（XRD）、拉曼光谱、扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、能量......
先后利用化学气相沉积法和液相离子交换法，在FTO导电玻璃基底上两步法制备Cu2ZnSnS4（CZTS）纳米片，并通过X射线衍射仪（XRD）、拉曼光谱仪（Ra......
采用循环伏安法研究了制备CZTS薄膜四元预制层的电化学沉积机理。结合XRD,SEM,EDS和Raman技术分析预制层退火的相转变机制。结果表......
CuzZnSnS4（CZTS）薄膜太阳能电池具有低成本、高效率、安全无毒等优点，是最具发展前景的太阳能电池之一，近几年来开始受到广泛关注。简......
通过直流反应磁控溅射技术,原位生长制备了太阳电池用Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜.采用X射线能量色散谱仪、扫描电镜、X射线衍射仪、紫外......
铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4),铜锡硫(Cu2SnS3)元素矿藏丰富无毒,为P型直接带隙半导体材料,光电学性质优良,是薄膜太阳电池吸收层较佳候选......
Cu2ZnSnS4(CZTS)系太阳能薄膜电池是在Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池基础上发展起来的新型化合物半导体光伏器件。CZTS系半导体......
多元化和合金化是设计新材料的两种重要途径,由于化学成分和结构自由度的增多,多元材料和合金材料将表现出各种丰富、独特的性质,......
21世纪，人类面临着能源危机及生态环境的恶化，改变能源结构、发展绿色能源已成为备受关注的课题。太阳能是最具应用前景的可再生清洁......
金属氧化物半导体因其具有优良的电、磁、光学等性能，被认为是可以拓展硅基器件功能的材料。其中ZnO是近十几年来非常热门的光电材......
I2-II-IV-Vl4族纳米晶材料因其在光电、热电等领域所具有良好的应用前景而受到广泛关注。利用胶质工艺可以在较低温度下制得热力学......
能源短缺和环境污染是当今人类社会所面临的两个主要问题,解决这些问题是实现人类社会可持续发展的迫切需要。太阳能作为一种重要......
尽管以铜铟镓硒(CIGS)和碲化镉(CdTe)为代表的第二代薄膜太阳能电池已成功实现商业化,截至目前,以CIGS为吸收层的电池的效率已经突......
Cu2ZnSnS4四元半导体与CuInGaSe2相比不含稀有元素In和Se、与CdTe相比不含有毒的Cd、再加上其吸收系数高且禁带宽度适宜可调的特性......
